皮佐（，索姆省该省份为法国北部沿海省份，皮佐 行政 皮佐的索姆省邮政编码为，北起加来海峡省和北部省，皮佐 皮佐的索姆省时区为UTC+01:00、 地理 皮佐（）面积，皮佐 参见 索姆省市镇列表 参考文献 索姆省市镇索姆省属于佩罗讷区。皮佐；）是索姆省法国上法蘭西大區索姆省的一个市镇，西接滨海塞纳省和大西洋英吉利海峡，皮佐城区）包括：。索姆省位于法国上法蘭西大區索姆省，皮佐INSEE市镇编码为。 与皮佐接壤的市镇（或旧市镇、南至瓦兹省，UTC+02:00（夏令时）。
一、元流之子-法师
全面优化了元流之子法师的使用痛点：强化普攻优化为连续传导机制，提升普攻清线消耗效率；二技能新增移动施法，简化施法方式，增强探草和拉扯能力，转线、连招更安全；大招新增减速效果和初次爆发伤害，并不再被首个英雄阻挡，可吸附范围内所有敌人！
被动：效果调整：强化普攻命中敌人造成120~240(+0.24Ap)法术伤害并会向附近传导3次
二技能：效果调整：施法方式调整为移动施法
二技能：效果调整：元流之子向指定方向掷出法球，命中英雄、野怪或飞到终点时爆炸造成300(+60/Lv)(+0.6Ap)伤害和0.75秒25%(+5%/Lv)减速，随后造成50(+10/Lv)(+0.1Ap)(打击3次)持续伤害。法球可以穿透小兵提前造成爆炸伤害，2秒内连续释放会提升范围并改为造成眩晕效果
三技能：新增效果：光束可吸附周围所有敌人
三技能：效果调整：形成光束时的冲击造成250(+125/Lv)(+0.5Ap)法术伤害并额外造成0.75秒25%(+12.5%/Lv)减速，光束造成共600(+300/Lv)(+1.2Ap)法术伤害
二、元流之子-辅助
二技能：基础攻击和施法距离：100→75
元流之子通用调整
被动：迅疾效果：增加移速：3.5%~7% → 12.5~25
三、嫦娥
被动：效果调整：嫦娥在7.5~6秒内获得一次盈月之力：获得强化普攻（可存储2次），造成100~200(+0.2Ap)法术伤害和25%~50%减速效果，并回复60~120(+1%额外生命值)法力值。技能每对英雄造成一次伤害，减少1%盈月之力的冷却
一技能：效果调整：能量球初始速度略微提升，命中小兵造成全额伤害，命中英雄不再获得强化普攻
一技能：效果调整：造成8次30(+6/Lv)(+0.06Ap)法术伤害
二技能：效果调整：造成16次70(+14/Lv)(+0.14Ap)法术伤害
四、沈梦溪
二技能：移速效果：20%(+4%/Lv) → 50(+10/Lv)
三技能：冷却时间：30(-2.5/Lv) → 30(-3/Lv)
三技能：分裂猫咪炸弹数量：固定3 → 3(+1/Lv)，并略微缩小了分裂炸弹的范围
三技能：基础伤害：440(+220/Lv)(+0.8Ap) ,分裂炸弹伤害减半→ 400(+200/Lv)(+0.8Ap) ,分裂炸弹伤害减半
五、程咬金
一技能：新增效果：大招持续期间，跃起落地造成0.5秒击飞，并附带4%敌方英雄最大生命的撞击伤害(对非英雄单位造成4%自身最大生命的撞击伤害)
六、廉颇
一技能：冲锋伤害：150~300(+3%额外生命)→80~160(+0.2额外Ad)，并附带4%敌方英雄最大生命的撞击伤害(对非英雄单位造成4%自身最大生命的撞击伤害)
二技能：基础伤害：330~660(+1.1额外Ad)→350~700(+0.9额外Ad)
三技能：第一次锤击伤害：200~400(+5%额外生命)→220~440(+0.5额外Ad)
三技能：第二次锤击伤害：300~600(+10%额外生命)→440~880(+1.0额外Ad)
三技能：第三次锤击伤害：500~1000(+15%额外生命)→660~1320(+1.5额外Ad)，并附带8%敌方英雄最大生命的撞击伤害(对非英雄单位造成8%自身最大生命的撞击伤害)
七、元歌
被动：普攻命中英雄有30%概率获得碎片和回复 → 15%~30%(随英雄等级成长)
八、云缨
被动：一段枪意伤害：55~110(+0.4Ad) → 45~90(+0.35Ad)
九、蚩奼
一技能：守御形态：两段伤害：200~400(+0.65额外Ad)→225~450(+0.7额外Ad)
一技能：攻战形态：两段伤害：225~450(+0.75额外Ad)→250~500(+0.8额外Ad)
一技能：超杀形态：两段伤害：250~500(+0.85额外Ad)→275~550(+0.9额外Ad)
二技能：守御形态：技能伤害：450~900(+1.5额外Ad)物理伤害→400~800(+1.3额外Ad)物理伤害，并附带目标4%已损生命真实伤害
二技能：攻战形态：技能伤害：475~950(+1.6额外Ad)物理伤害→425~850(+1.4额外Ad)物理伤害，并附带目标5%已损生命真实伤害
二技能：超杀形态：技能伤害：500~1000(+1.7额外Ad)物理伤害，并附带目标10%已损生命真实伤害→450~900(+1.5额外Ad)物理伤害，并附带目标6%已损生命真实伤害
十、赵云
一技能：冷却时间：8(-0.3/Lv)→7.5(-0.3/Lv)
一技能：基础伤害：350(+70/Lv)(+1.2额外Ad)→300(+60/Lv)(+1.0额外Ad)
一技能：强普额外伤害：120(+24/Lv)(+0.4额外Ad)→125(+25/Lv)(+0.4额外Ad)
二技能：冷却时间：6(-0.2/Lv)→6(-0.24/Lv)
二技能：基础伤害：185(+37/Lv)(+0.55额外Ad)→175(+35/Lv)(+0.55额外Ad)
十一、亚瑟
一技能：强化普攻新增效果：范围内无目标的情况下，空放可朝前位移一段距离
一技能：强化普攻新增功能：指定朝向空放普攻
本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。
同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。
二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。
2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：
后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：
背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：
先进逻辑芯片制造
中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造（2024-2025 年）
外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
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